2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

2022年9月9日に、QYResearchは「グローバルIGBTパワーモジュールに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。IGBTパワーモジュールの市場生産能力、生産量、販売量、売上 ...

高電圧電力変換IC専業ファブレスである米Power Integrationsは、100mm×140mmのデュアルIGBTモジュール向け「SCALE-iFlex」シングル ...

ドイツのInfineon Technologiesがハイブリッドカー (HEV)/電気自動車 (EV)用のIGBT (絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールの高効率化を進めている。IGBTはシリコンで最も電流容量のとれるトランジスタである。IGBTチップとダイオードを2個ずつ集積したモジュールをハーフブリッジICとして ...

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、最新世代のフィールドストップ7（FS7）絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）技術を採用したインテリジェントパワーモジュール（IPM）の新しい1200V「SPM31」製品ファミリを発表しました。

再生可能エネルギー電源用DC1500V電力変換機器の小型化・低消費電力化に貢献 三菱電機「産業用2.0kV IGBTモジュールTシリーズ」新発売のお知らせ 三菱電機株式会社は、パワー半導体の新製品として「産業用2.0kV IGBTモジュールTシリーズ」を6月30日に発売します。

ビシェイ社、IGBT パワーモジュールを新たに再設計したINT-A-PAK パッケージで発表、伝導とスイッチング損失を軽減 高電流インバータステージで低 VCE(ON) または低 Eoffの選択肢を提供 ※オリジナルリリースは添付の関連資料を参照 リリース本文中の「関連 ...

オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、新製品となる最新の第7世代1200V QDual3絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）パワーモジュールを発表しました。新製品のパワーモジュールは、高い電力密度を提供し、市販されている他の ...