日経クロステック

東芝がSiCトランジスタの構造を改良、＋175℃で電流量が2倍に

東芝デバイス＆ストレージは、SiC MOSFETの構造を改良し、特性を向上させたニュースリリース。改良後の構造を採用した3.3kV耐圧のSiC MOSFETは、＋175℃の高温環境下で、同社の改良前構造の同MOSFETに比べて逆方向導通可能電流量が2倍になった。また、構造 ...