DRAMの製造技術世代が10nm世代(20nm未満の世代)に突入してから、すでに5年が経過した。この5年間に、DRAMの技術と製品の状況はかなりの変化を見せている。そこで、DRAMの製品と開発、技術の動向をまとめてアップデートしたい。とはいうものの、DRAMの位置付け ...

エルピーダメモリは、Cuを用いたSi貫通電極(TSV:Through Silicon Via)による積層8GビットDRAMの開発に成功したと発表した。 今回開発されたDRAMは、1GビットのDDR3 SDRAM(1600Mbps)を8枚積層したもので、インタフェース層と合わせると合計9層構成で8Gビットを実現している。

「ポストRDRAM、ポストDDR SDRAMの次世代メモリは、6GB/sec以上のメモリ帯域になる」 先週、米アナハイムで開催されたMicrosoftの ...