古河電気工業(古河電工)は11月27日、パワー半導体モジュールの放熱板や端子などに活用可能な高い耐熱性と熱伝導性を特長とする低ヤング率耐熱無酸素銅「TOFC」を開発したことを発表した。 SiCやGaNと言った次世代パワー半導体を搭載したモジュールでは ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバルフルSiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月15日に発行しました。本レポートでは、フルSiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業、産業 ...

富士通ゼネラルエレクトロニクス、家電・産業機器分野をターゲットに拡販を推進 当社グループの電子デバイス事業を担う富士通ゼネラルエレクトロニクス（当社子会社：以下、FGEL）は、パワー半導体の需要拡大を見据え、パワーモジュールの増産と安定 ...

新開発の小型T-PMと豊富なラインアップで、xEV用インバーターの小型化等に対応 xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」J3-T-PM xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」 J3-HEXA-S xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」 J3-HEXA-L 三菱 ...

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス&ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET（注1）を搭載した ...

Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...